Nederlands
English
Русско
Deutsch
Español
Português
Français
Türk
Italiano
हिन्दी
Bahasa Indonesia
Doelstellingen CIGS
| Item Nr. : | ST21 |
Detalles del surtidor
Land
: Taiwan
Stad
: HsinChu
Adres
: No.16, Ln.727, Sec.2, Yen-ping Road
TEL: +886-03-5304953
Fax
: +886-03-5362817
Online Toonzaal
:
39 Producten
Het doel van NiV
Een sputterend doel van de onderhavige uitvinding bestaat uit hoge zuiverheid Nb. Men zegt dat een hoeveelheid onzuiverheidselement in het sputterende doel over het algemeen wenselijk is te verminderen. In de onderhavige uitvinding, wordt een onzuiverheidselement dat in het bijzonder op kenmerken van een Nb film beïnvloedt die met een Nb doel van de onderhavige uitvinding wordt gedeponeerd gevonden. Gebaseerd op het bovengenoemde vinden, wordt een hoeveelheid bepaald element verminderd en de verspreiding van het bedrag van het onzuiverheidselement is onderdrukte laag.
De specificatie van de aanpassing
Specificatie:
Toepassing: bescherm film
Een sputterend doel van de onderhavige uitvinding bestaat uit hoge zuiverheid Nb. Men zegt dat een hoeveelheid onzuiverheidselement in het sputterende doel over het algemeen wenselijk is te verminderen. In de onderhavige uitvinding, wordt een onzuiverheidselement dat in het bijzonder op kenmerken van een Nb film beïnvloedt die met een Nb doel van de onderhavige uitvinding wordt gedeponeerd gevonden. Gebaseerd op het bovengenoemde vinden, wordt een hoeveelheid bepaald element verminderd en de verspreiding van het bedrag van het onzuiverheidselement is onderdrukte laag.
De specificatie van de aanpassing
Specificatie:
Toepassing: bescherm film